Renesas IDT6167SA70DB

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

20

终端数量

20

Number of Words

16000

RoHS

Non-Compliant

Package Description

0.300 INCH, CERDIP-20

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

16000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP20,.3

Operating Temperature-Min

-55 °C

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

70 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT6167SA70DB

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

8.74

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

包装

Rail/Tube

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

20

JESD-30代码

R-GDIP-T20

资历状况

不合格

工作电源电压

5 V

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

最大电源电压

5.5 V

最小电源电压

4.5 V

端口的数量

2

电源电流

90 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.1 mA

访问时间

70 ns

组织结构

16KX1

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

1

地址总线宽度

14 b

密度

16 kb

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

16384 bit

筛选水平

MIL-STD-883 Class B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

同步/异步

Asynchronous

字长

1 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

输出启用

NO

宽度

7.62 mm

长度

25.3365 mm