IDT7005S35J8详情
Renesas IDT7005S35J8重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
68
终端数量
68
RoHS
Non-Compliant
Memory Types
RAM, SRAM
Package Description
0.950 X 0.950 INCH, 0.120 INCH HEIGHT, PLASTIC, LCC-68
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC68,1.0SQ
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7005S35J8
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.06
Part Package Code
LCC
包装
Tape & Reel (TR)
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
INTERRUPT FLAG; AUTOMATIC POWER-DOWN; SEMAPHORE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
S-PQCC-J68
资历状况
不合格
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.25 mA
组织结构
8KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
4.572 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
65536 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
4.5 V
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
4.5 V
输出启用
YES
宽度
24.2062 mm
长度
24.2062 mm
IDT7005S35J8拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








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