IDT70V25L20PFGI详情
Renesas IDT70V25L20PFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
SMD
表面安装
YES
引脚数
100
终端数量
100
MSL
n/a
EEPROM
256 x 8
RAM
512 x 8
RoHS
有
Package Description
LFQFP, QFP100,.63SQ,20
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
8000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.63SQ,20
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
30
Access Time-Max
20 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
IDT70V25L20PFGI
Number of Words
8192 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
LFQFP
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Samacsys Description
IDT IDT70V25L20PFGI SRAM Memory, 128kbit, 3 u2192 3.6 V, 20ns 100-Pin TQFP
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.15
Part Package Code
QFP
系列
PIC18
JESD-609代码
e3
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Matte Tin (Sn) - annealed
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
功能数量
1
端子间距
0.5 mm
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
S-PQFP-G100
资历状况
不合格
电源
3.3 V
温度等级
INDUSTRIAL
注意
-
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.195 mA
组织结构
8KX16
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
16
待机电流-最大值
0.005 A
记忆密度
131072 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3 V
电压 - 供电 (最大值)
3.6 V
电压 - 供电 (最小值)
3 V
宽度
14 mm
长度
14 mm
IDT70V25L20PFGI拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








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