IDT70V3579S6BC详情
Renesas IDT70V3579S6BC重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
引脚数
256
终端数量
256
Package
零售包装
厂商
Glenair
Product Status
活跃
RoHS
Compliant
Memory Types
RAM, SRAM
Package Description
LBGA, BGA256,16X16,40
Package Style
GRID ARRAY, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA256,16X16,40
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
6 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT70V3579S6BC
Clock Frequency-Max (fCLK)
83 MHz
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
LBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.15
Part Package Code
BGA
系列
*
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
最高工作温度
70 °C
最小工作温度
0 °C
附加功能
PIPELINED OUTPUT MODE, SELF-TIMED WRITE CYCLE
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
1 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B256
资历状况
不合格
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
界面
Parallel
端口的数量
2
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.31 mA
组织结构
32KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.5 mm
内存宽度
36
记忆密度
1179648 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
电压 - 供电 (最大值)
3.45 V
电压 - 供电 (最小值)
3.15 V
宽度
17 mm
长度
17 mm
IDT70V3579S6BC拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








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