IDT70V657S12BF详情
Renesas IDT70V657S12BF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
Cable
表面安装
YES
引脚数
208
终端数量
208
RoHS
Compliant
Package Description
TFBGA, BGA208,17X17,32
Package Style
GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
BGA208,17X17,32
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
12 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT70V657S12BF
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
TFBGA
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.14
Part Package Code
BGA
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
3A991.B.2.A
端子表面处理
Tin/Lead (Sn63Pb37)
颜色
White
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
CMOS
端子位置
BOTTOM
终端形式
BALL
峰值回流焊温度(摄氏度)
225
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
Reach合规守则
not_compliant
JESD-30代码
S-PBGA-B208
资历状况
不合格
电源
2.5/3.3,3.3 V
温度等级
COMMERCIAL
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.465 mA
组织结构
32KX36
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.2 mm
内存宽度
36
待机电流-最大值
0.015 A
记忆密度
1179648 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
3.15 V
电压 - 供电 (最大值)
3.45 V
电压 - 供电 (最小值)
3.15 V
宽度
15 mm
长度
15 mm
IDT70V657S12BF拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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