IDT70V657S12BF
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Renesas IDT70V657S12BF

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型号

IDT70V657S12BF

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-IDT70V657S12BF

商品类别

存储器

封装

--

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208-Pin CABGA

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IDT70V657S12BF Renesas SRAM Chip Async Dual 3.3V 1.125M-Bit 32K x 36 12ns 208-Pin CABGA

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IDT70V657S12BF详情

Renesas IDT70V657S12BF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 底架

    Cable

  • 表面安装

    YES

  • 引脚数

    208

  • 终端数量

    208

  • RoHS

    Compliant

  • Package Description

    TFBGA, BGA208,17X17,32

  • Package Style

    GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH

  • Moisture Sensitivity Levels

    3

  • Number of Words Code

    32000

  • Package Body Material

    PLASTIC/EPOXY

  • Package Equivalence Code

    BGA208,17X17,32

  • Reflow Temperature-Max (s)

    20

  • Access Time-Max

    12 ns

  • Operating Temperature-Max

    70 °C

  • Rohs Code

  • Manufacturer Part Number

    IDT70V657S12BF

  • Number of Words

    32768 words

  • Supply Voltage-Nom (Vsup)

    3.3 V

  • Package Code

    TFBGA

  • Package Shape

    SQUARE

  • Manufacturer

    Integrated Device Technology Inc

  • Part Life Cycle Code

    活跃

  • Ihs Manufacturer

    INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

  • Risk Rank

    5.14

  • Part Package Code

    BGA

  • JESD-609代码

    e0

  • 无铅代码

  • ECCN 代码

    3A991.B.2.A

  • 端子表面处理

    Tin/Lead (Sn63Pb37)

  • 颜色

    White

  • HTS代码

    8542.32.00.41

  • 子类别

    SRAMs

  • 技术

    CMOS

  • 端子位置

    BOTTOM

  • 终端形式

    BALL

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    225

  • 功能数量

    1

  • 端子间距

    0.8 mm

  • Reach合规守则

    not_compliant

  • JESD-30代码

    S-PBGA-B208

  • 资历状况

    不合格

  • 电源

    2.5/3.3,3.3 V

  • 温度等级

    COMMERCIAL

  • 端口的数量

    2

  • 操作模式

    ASYNCHRONOUS

  • 电源电流-最大值

    0.465 mA

  • 组织结构

    32KX36

  • 输出特性

    3-STATE

  • 座位高度-最大

    1.2 mm

  • 内存宽度

    36

  • 待机电流-最大值

    0.015 A

  • 记忆密度

    1179648 bit

  • 并行/串行

    PARALLEL

  • I/O类型

    COMMON

  • 内存IC类型

    DUAL-PORT SRAM

  • 待机电压-最小值

    3.15 V

  • 电压 - 供电 (最大值)

    3.45 V

  • 电压 - 供电 (最小值)

    3.15 V

  • 宽度

    15 mm

  • 长度

    15 mm

0个相似型号

IDT70V657S12BF拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
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R1LP0408DSP-5SI#B0
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R1LP0408DSP-5SI#S0
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71V256SA15PZGI8
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IDT71V256SA15PZ
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RMLV0408EGSB-4S2#AA1
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