IDT71256L35J详情
Renesas IDT71256L35J重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
THT
表面安装
YES
终端数量
32
MSL
n/a
Dimensions
26x15x25,5mm
RoHS
有
Package Description
PLASTIC, LCC-32
Package Style
CHIP CARRIER
Moisture Sensitivity Levels
1
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
LDCC32,.5X.6
Access Time-Max
35 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT71256L35J
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
QCCJ
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.72
Part Package Code
QFJ
系列
WCAP-FTX2
容差
±10 %
JESD-609代码
e0
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
HTS代码
8542.32.00.41
电容量
2,2 uF
子类别
SRAMs
螺距
22,5 mm
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
J BEND
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PQCC-J32
资历状况
不合格
电介质
PP
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
注意
n/a
端口的数量
1
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.13 mA
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
3.55 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.00012 A
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
输出启用
YES
特征
X2
宽度
11.43 mm
长度
13.97 mm
达到SVHC
not_compliant
IDT71256L35J拓展信息








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