Renesas IDT71256SA20TPG

表面安装

NO

引脚数

28

终端数量

28

MSL

Level 1 (J-STD-033C)

Package

SMD package

RoHS

有

Package Description

DIP, DIP28,.3

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

32000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP28,.3

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71256SA20TPG

Number of Words

32768 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.43

Part Package Code

DIP

操作温度

-40...+90°C

系列

TSR

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDIP-T28

资历状况

不合格

输出类型

single

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

注意

-

操作模式

ASYNCHRONOUS

输出电流

1 A

电源电流-最大值

0.145 mA

组织结构

32KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

262144 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

电源

- W

待机电压-最小值

4.5 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

宽度

7.62 mm

长度

34.671 mm