Renesas IDT7130LA20JG

表面安装

YES

引脚数

52

终端数量

52

RoHS

有

Package Description

QCCJ, LDCC52,.8SQ

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

1

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC52,.8SQ

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT7130LA20JG

Number of Words

1024 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

IDT IDT7130LA20JG SRAM Memory, 8kbit, 4.5 u2192 5.5 V, 20ns 52-Pin PLCC

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.16

Part Package Code

LCC

系列

WE-SHC

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

类型

Shield Frame

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

注意

-

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

组织结构

1KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.0015 A

记忆密度

8192 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

2 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

宽度

19.1262 mm

长度

19.1262 mm