Renesas IDT7130SA55P

安装类型

SMD

底架

通孔

表面安装

NO

引脚数

48

终端数量

48

MSL

n/a

RoHS

有

Number of Words

1000

Memory Types

RAM, SRAM

Package Description

PLASTIC, DIP-48

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

1000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

DIP48,.6

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7130SA55P

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

7.61

Part Package Code

DIP

操作温度

-40...+150°C

系列

LTC

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

50-650kHz

JESD-30代码

R-PDIP-T48

资历状况

不合格

输出电压

1,22V...+200V

输出类型

可调式

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

注意

-

界面

Parallel

内存大小

1 kB

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.155 mA

访问时间

55 ns

组织结构

1KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

5.08 mm

内存宽度

8

地址总线宽度

20 b

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

8192 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

输入电压

8,5V...+36V

宽度

15.24 mm

高度

3.8 mm

长度

61.7 mm