Renesas IDT7132SA35C

表面安装

NO

终端数量

48

RoHS

Non-Compliant

Memory Types

RAM, SRAM

Package Description

DIP, DIP48,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

2000

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Equivalence Code

DIP48,.6

Reflow Temperature-Max (s)

20

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7132SA35C

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.11

Part Package Code

DIP

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

48

JESD-30代码

R-CDIP-T48

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.165 mA

组织结构

2KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.826 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

16384 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

宽度

15.24 mm

长度

60.96 mm