Renesas IDT7133SA35JG

表面安装

YES

引脚数

68

终端数量

68

RoHS

Compliant

Memory Types

SRAM

Package Description

QCCJ,

Package Style

CHIP CARRIER

Number of Words Code

2000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

35 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT7133SA35JG

Number of Words

2048 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.07

Part Package Code

LCC

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

终端

SMD/SMT

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

哑光锡

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

S-PQCC-J68

资历状况

不合格

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

4 kB

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

访问时间

35 ns

组织结构

2KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.572 mm

内存宽度

16

记忆密度

32768 bit

并行/串行

PARALLEL

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

输出启用

YES

宽度

24.2062 mm

长度

24.2062 mm

达到SVHC

无SVHC