Renesas IDT7134SA20J

表面安装

YES

终端数量

52

RoHS

Non-Compliant

Memory Types

RAM, SRAM

Package Description

PLASTIC, LCC-52

Package Style

CHIP CARRIER

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

4000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

LDCC52,.8SQ

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

20 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT7134SA20J

Number of Words

4096 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

QCCJ

Package Shape

SQUARE

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.1

Part Package Code

LCC

JESD-609代码

e0

无铅代码

无

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

Tin/Lead (Sn85Pb15)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

AUTOMATIC POWER-DOWN

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

QUAD

终端形式

J BEND

峰值回流焊温度（摄氏度）

225

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

引脚数量

52

JESD-30代码

S-PQCC-J52

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

界面

Parallel

端口的数量

2

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.28 mA

组织结构

4KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

4.57 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.015 A

记忆密度

32768 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

DUAL-PORT SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

宽度

19.1262 mm

长度

19.1262 mm