IDT7140LA55PF详情
Renesas IDT7140LA55PF重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
通孔
触点镀层
Copper, Silver, Tin
表面安装
YES
终端数量
64
RoHS
Non-Compliant
Package Description
TQFP-64
Package Style
FLATPACK, LOW PROFILE
Moisture Sensitivity Levels
3
Number of Words Code
1000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP64,.66SQ,32
Reflow Temperature-Max (s)
20
Access Time-Max
55 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
IDT7140LA55PF
Number of Words
1024 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
5 V
Package Code
LQFP
Package Shape
SQUARE
Manufacturer
Integrated Device Technology Inc
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC
Risk Rank
5.02
Part Package Code
QFP
容差
0.1 %
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
温度系数
25 ppm/°C
电阻
180 Ω
端子表面处理
Tin/Lead (Sn85Pb15)
最高工作温度
275 °C
最小工作温度
-55 °C
组成
Wirewound
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
额定功率
2 W
技术
CMOS
端子位置
QUAD
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
240
功能数量
1
端子间距
0.8 mm
引脚数量
64
JESD-30代码
S-PQFP-G64
资历状况
不合格
电源电压-最大值(Vsup)
5.5 V
电源
5 V
温度等级
COMMERCIAL
电源电压-最小值(Vsup)
4.5 V
端口的数量
2
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.11 mA
组织结构
1KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
1.6 mm
内存宽度
8
待机电流-最大值
0.0015 A
记忆密度
8192 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
DUAL-PORT SRAM
待机电压-最小值
2 V
直径
4 mm
长度
10.2 mm
宽度
14 mm
辐射硬化
无
达到SVHC
not_compliant
IDT7140LA55PF拓展信息








哦! 它是空的。