Renesas IDT71V124SA10PHG

安装类型

THT

表面安装

YES

终端数量

32

Package

TO220-5

RoHS

有

Package Description

TSOP2, TSOP32,.46

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP32,.46

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V124SA10PHG

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

IDT SRAM Memory, IDT71V124SA10PHG- 1Mbit

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.17

Part Package Code

TSOP2

操作温度

-40...+125°C

系列

LT1764A

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

32

JESD-30代码

R-PDSO-G32

资历状况

不合格

输出电压

1,8V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3.15 V

注意

-

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.145 mA

组织结构

128KX8

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

8

待机电流-最大值

0.01 A

记忆密度

1048576 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3.15 V

输入电压

max.-20V

宽度

10.16 mm

长度

20.95 mm