Renesas IDT71V35761S200BG8

表面安装

YES

引脚数

119

终端数量

119

RoHS

Non-Compliant

Memory Types

RAM, SRAM

Package Description

BGA-119

Package Style

网格排列

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

128000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA119,7X17,50

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Access Time-Max

3.1 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

无

Manufacturer Part Number

IDT71V35761S200BG8

Clock Frequency-Max (fCLK)

200 MHz

Number of Words

131072 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

BGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.77

Part Package Code

BGA

包装

Tape & Reel (TR)

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Tin/Lead (Sn63Pb37)

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

附加功能

流水线结构

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

功能数量

1

端子间距

1.27 mm

Reach合规守则

not_compliant

频率

200 MHz

JESD-30代码

R-PBGA-B119

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

界面

Parallel

操作模式

SYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.36 mA

组织结构

128KX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

2.36 mm

内存宽度

36

待机电流-最大值

0.03 A

记忆密度

4718592 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

缓存SRAM

待机电压-最小值

3.14 V

电压 - 供电 （最大值）

3.465 V

电压 - 供电 （最小值）

3.135 V

宽度

14 mm

长度

22 mm