Renesas IDT71V416S10PHG8

安装类型

SMD

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

44

终端数量

44

MSL

n/a

RoHS

有

Number of Words

256000

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

Package Description

TSOP2, TSOP44,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V416S10PHG8

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.25

Part Package Code

TSOP2

操作温度

-40...+85°C

系列

LT

包装

卷带

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

频率

200-2000kHz

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

输出电压

39,5V

输出类型

-

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

注意

-

界面

Parallel

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

端口的数量

1

电源电流

200 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

访问时间

10 ns

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

18 b

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

输出启用

YES

输入电压

2,7V...+24V

宽度

10.16 mm

长度

18.41 mm

达到SVHC

compliant