Renesas IDT71V416S10PHGI

底架

表面贴装

表面安装

YES

终端数量

44

Voltage, Rating

25 V

RoHS

Compliant

Package Description

TSOP2, TSOP44,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

10 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V416S10PHGI

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Samacsys Description

IDT IDT71V416S10PHGI SRAM Memory, 4Mbit, 3 u2192 3.6 V, 10ns 44-Pin TSOP

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.21

Part Package Code

TSOP2

包装

Tape & Reel (TR)

容差

10 %

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

125 °C

最小工作温度

-55 °C

HTS代码

8542.32.00.41

电容量

13 pF

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.2 mA

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

宽度

787.4 µm

长度

1.6002 mm

器件厚度

939.8 µm