Renesas IDT71V416S12PHG8

安装类型

表面贴装

包装/外壳

12-VFDFN Exposed Pad

表面安装

YES

引脚数

44

供应商器件包装

12-DFN (4x3)

终端数量

44

RoHS

Compliant

Memory Types

RAM, SRAM - Asynchronous

Package Description

TSOP2, TSOP44,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Reflow Temperature-Max (s)

30

Access Time-Max

12 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V416S12PHG8

Number of Words

262144 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

5.09

Part Package Code

TSOP2

操作温度

-40°C ~ 85°C (TA)

系列

--

包装

Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

零件状态

Obsolete

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

70 °C

最小工作温度

0 °C

应用

通用型

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

--

电压 - 供电

4.5 V ~ 5.5 V

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

Reach合规守则

compliant

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

电源

3.3 V

温度等级

COMMERCIAL

界面

2-Wire

端口的数量

1

输出配置

半桥

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.18 mA

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

电压-负荷

5.6 V ~ 12.6 V

输出/通道电流

--

故障保护

--

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

Rds On(Typ)

--

待机电压-最小值

3 V

电压 - 供电 （最大值）

3.6 V

电压 - 供电 （最小值）

3 V

输出启用

YES

峰值输出电流

6A

负载类型

Inductive

特征

--

宽度

10.16 mm

长度

18.41 mm