Renesas IDT71V416S15PHGI

底架

表面贴装

表面安装

YES

引脚数

44

终端数量

44

Number of Words

256000

RoHS

Compliant

Package Description

TSOP2, TSOP44,.46,32

Package Style

SMALL OUTLINE, THIN PROFILE

Moisture Sensitivity Levels

3

Number of Words Code

256000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

TSOP44,.46,32

Operating Temperature-Min

-40 °C

Reflow Temperature-Max (s)

40

Access Time-Max

15 ns

Operating Temperature-Max

85 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

IDT71V416S15PHGI

Supply Voltage-Nom (Vsup)

3.3 V

Package Code

TSOP2

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Integrated Device Technology Inc

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

INTEGRATED DEVICE TECHNOLOGY INC

Risk Rank

1.62

Part Package Code

TSOP2

包装

Rail/Tube

JESD-609代码

e3

无铅代码

有

ECCN 代码

3A991.B.2.A

端子表面处理

Matte Tin (Sn) - annealed

最高工作温度

85 °C

最小工作温度

-40 °C

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

CMOS

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

功能数量

1

端子间距

0.8 mm

引脚数量

44

JESD-30代码

R-PDSO-G44

资历状况

不合格

工作电源电压

3.3 V

电源电压-最大值(Vsup)

3.6 V

电源

3.3 V

温度等级

INDUSTRIAL

电源电压-最小值(Vsup)

3 V

最大电源电压

3.6 V

最小电源电压

3 V

端口的数量

1

电源电流

170 mA

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

0.17 mA

访问时间

15 ns

组织结构

256KX16

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.2 mm

内存宽度

16

地址总线宽度

18 b

密度

4 Mb

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

4194304 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

同步/异步

Asynchronous

字长

16 b

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

3 V

宽度

10.16 mm

长度

18.41 mm

达到SVHC

compliant