M5M5256DFP-70GI#BM详情
Renesas M5M5256DFP-70GI#BM重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
1 Week
安装类型
表面贴装
包装/外壳
28-SOIC (0.330, 8.40mm Width)
表面安装
YES
引脚数
28
供应商器件包装
28-SOP
终端数量
28
Package
Tray
Base Product Number
M5M5256D
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
Memory Types
Volatile
Package Description
SOP, SOP28,.5
Package Style
小概要
Number of Words Code
32000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
SOP28,.5
Operating Temperature-Min
-40 °C
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Access Time-Max
70 ns
Operating Temperature-Max
85 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
M5M5256DFP-70GI#BM
Number of Words
32768 words
Supply Voltage-Nom (Vsup)
3.3 V
Package Code
SOP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Risk Rank
5.21
Part Package Code
SOIC
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
ECCN 代码
EAR99
HTS代码
8542.32.00.41
子类别
SRAMs
技术
SRAM
电压 - 供电
3V ~ 3.6V, 4.5V ~ 5.5V
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
功能数量
1
端子间距
1.27 mm
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PDSO-G28
资历状况
不合格
电源
3.3/5 V
温度等级
INDUSTRIAL
内存大小
256Kbit
操作模式
ASYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.045 mA
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
32KX8
输出特性
3-STATE
座位高度-最大
2.4 mm
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
记忆密度
262144 bit
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
待机电压-最小值
2 V
电压 - 供电 (最大值)
5.5 V
电压 - 供电 (最小值)
3 V
组织的记忆
32K x 8
宽度
8.4 mm
长度
17.5 mm
M5M5256DFP-70GI#BM拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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