Renesas NE3514S02-T1C-A

表面安装

YES

终端数量

4

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

MICROWAVE, R-PQMW-F4

Package Style

MICROWAVE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NE3514S02-T1C-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.31

Drain Current-Max (ID)

0.015 A

JESD-609代码

e6

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

端子表面处理

锡铋

附加功能

低噪音

子类别

其他晶体管

端子位置

QUAD

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PQMW-F4

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

DS 击穿电压-最小值

3 V

场效应管技术

HETERO-JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.165 W

最高频段

K带

功率增益-最小值(Gp)

8 dB