NE3515S02-T1C-A详情
Renesas NE3515S02-T1C-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
4-SMD, Flat Leads
表面安装
YES
供应商器件包装
S02
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
1000
Manufacturer
CTS
Brand
CTS电子元件
RoHS
Details
Package
Bulk
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
Voltage Rated
4 V
Package Description
MICROWAVE, R-PQMW-F4
Package Style
MICROWAVE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Operating Temperature-Max
125 °C
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NE3515S02-T1C-A
Package Shape
RECTANGULAR
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.37
Drain Current-Max (ID)
0.025 A
系列
532
包装
Reel
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
子类别
Oscillators
额定电流
88mA
端子位置
QUAD
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
频率
12GHz
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PQMW-F4
资历状况
不合格
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
箱体转运
SOURCE
测试电流
10 mA
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
产品类别
TCXO
晶体管类型
HFET
增益
12.5dB
DS 击穿电压-最小值
3 V
功率 - 输出
14dBm
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
输出格式
削波正弦波
最大耗散功率(Abs)
0.165 W
噪声图
0.3dB
电压-测试
2 V
最高频段
Ku波段
功率增益-最小值(Gp)
11 dB
产品类别
TCXO 振荡器
NE3515S02-T1C-A拓展信息
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
Renesas Electronics America Inc
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