Renesas NE3517S03-T1C-A

包装/外壳

4-SMD, Flat Leads

表面安装

YES

供应商器件包装

S03

终端数量

4

晶体管元件材料

砷化镓

Package

Bulk

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Voltage Rated

4 V

Package Description

MICROWAVE, R-PXMW-F4

Package Style

MICROWAVE

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Reflow Temperature-Max (s)

未说明

Operating Temperature-Max

125 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

NE3517S03-T1C-A

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.79

Drain Current-Max (ID)

0.015 A

系列

-

无铅代码

有

ECCN 代码

EAR99

子类别

其他晶体管

额定电流

15mA

端子位置

UNSPECIFIED

终端形式

FLAT

峰值回流焊温度（摄氏度）

未说明

Reach合规守则

compliant

频率

20GHz

引脚数量

4

JESD-30代码

R-PXMW-F4

资历状况

不合格

Brand Name

Renesas

配置

SINGLE

操作模式

DEPLETION MODE

测试电流

10 mA

晶体管应用

AMPLIFIER

极性/通道类型

N-CHANNEL

晶体管类型

HFET

增益

13.5dB

DS 击穿电压-最小值

3 V

功率 - 输出

-

场效应管技术

HETERO-JUNCTION

最大耗散功率(Abs)

0.165 W

噪声图

0.7dB

电压-测试

2 V

最高频段

K带

功率增益-最小值(Gp)

11.5 dB