NP40N055ELE-E1-AY详情
Renesas NP40N055ELE-E1-AY重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
表面安装
YES
引脚数
8
供应商器件包装
--
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PSSO-G2
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
NP40N055ELE-E1-AY
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics Group
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.24
Part Package Code
D2PAK
Drain Current-Max (ID)
40 A
操作温度
-55°C ~ 125°C
系列
SMNZ
包装
Tape & Reel (TR)
尺寸/尺寸
0.197 L x 0.157 W (5.00mm x 3.99mm)
容差
±0.02%
JESD-609代码
e3
零件状态
活跃
ECCN 代码
EAR99
温度系数
±0.2ppm/°C
端子表面处理
哑光锡
应用
--
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
电阻数
4
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
电路型态
Isolated
每个元件的功率
100mW
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
漏极-源极导通最大电阻
0.032 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
100 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
64 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
电阻比漂移
±1 ppm/°C
电阻(欧姆)
400, 1k
电阻匹配比
±0.01%
座位高度(最大)
0.073 (1.86mm)
达到SVHC
compliant
NP40N055ELE-E1-AY拓展信息








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