NP83P04PDG详情
Renesas NP83P04PDG重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
Chassis, Panel
表面安装
YES
材料 - 绝缘
Thermoplastic
终端数量
2
晶体管元件材料
SILICON
端子螺丝材料
Steel
Voltage, Rating
600V
Package Description
MP-25ZP, TO-263, 3 PIN
Package Style
小概要
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NP83P04PDG
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
NEC Electronics America Inc
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
Transferred
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS AMERICA INC
Risk Rank
5.79
Drain Current-Max (ID)
83 A
操作温度
-60°C ~ 105°C
系列
SSB7, Buchanan
包装
Bulk
JESD-609代码
e0
零件状态
Obsolete
端子表面处理
锡铅
颜色
Black
行数
1
螺距
0.438 (11.12mm)
端子位置
SINGLE
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
额定电流
20A
JESD-30代码
R-PSSO-G2
资历状况
不合格
线规
12-22 AWG
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
电路数量
5
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
端子台类型
障碍块
底部终端
Solder Turret, Insulated
屏障类型
2 Wall (Dual)
顶端终端
Screws
极性/通道类型
P-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-263AB
端子螺钉表面处理
Zinc, Clear Chromate
漏极-源极导通最大电阻
0.008 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
249 A
DS 击穿电压-最小值
40 V
雪崩能量等级(Eas)
315 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
进线数
5
特征
Flange
材料可燃性等级
UL94 V-2
NP83P04PDG拓展信息








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