NP84N055NLE详情
Renesas NP84N055NLE重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
包装/外壳
Radial, Disc
安装类型
通孔
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Package
Tape & Box (TB)
厂商
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
Product Status
活跃
Voltage Rated
100V
Package Description
IN-LINE, R-PSIP-T3
Package Style
IN-LINE
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
NP84N055NLE
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.25
Part Package Code
TO-262AA
Drain Current-Max (ID)
84 A
操作温度
-30°C ~ 125°C
系列
D
尺寸/尺寸
0.197 Dia (5.00mm)
容差
±10%
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
ECCN 代码
EAR99
温度系数
Y5P (B)
端子表面处理
锡铅
应用
通用型
HTS代码
8541.29.00.95
电容量
680 pF
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSIP-T3
资历状况
不合格
失败率
-
引线间距
0.197 (5.00mm)
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
引线样式
Formed Leads - Kinked
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-262AA
漏极-源极导通最大电阻
0.0094 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
336 A
DS 击穿电压-最小值
55 V
雪崩能量等级(Eas)
302 mJ
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
特征
-
座位高度(最大)
-
厚度(最大)
-
达到SVHC
compliant
评级结果
-
NP84N055NLE拓展信息








哦! 它是空的。