R1EV58064BTCRBI#B2详情
Renesas R1EV58064BTCRBI#B2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
4-SMD, No Lead
供应商器件包装
28-TSOP I
Package
Bulk
厂商
Suntsu Electronics, Inc.
Product Status
活跃
Base Product Number
R1EV58064
Memory Types
Non-Volatile
操作温度
0°C ~ 70°C
系列
SXT224
尺寸/尺寸
0.098 L x 0.079 W (2.50mm x 2.00mm)
类型
兆赫晶体
技术
EEPROM
电压 - 供电
2.7V ~ 5.5V
频率
22.1184 MHz
频率稳定性
±50ppm
ESR(等效串联电阻)
80 Ohms
内存大小
64Kbit
负载电容
14pF
操作模式
Fundamental
频率容差
±50ppm
访问时间
100 ns
内存格式
EEPROM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
10ms
组织的记忆
8K x 8
座位高度(最大)
0.026 (0.65mm)
评级结果
-
R1EV58064BTCRBI#B2拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
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