Renesas R1EV58256BDANBI#B2

安装类型

通孔

包装/外壳

28-DIP (0.600, 15.24mm)

供应商器件包装

28-DIP

Supplier Package

SOT-89

Input Voltage Range

6.5, 2 V

Maximum Input Voltage

6.5 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

Base Product Number

R1EV58256

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Non-Volatile

操作温度

-40 to 85 °C

系列

R1EV58256BxxN

技术

EEPROM

电压 - 供电

2.7V ~ 5.5V

引脚数量

6

功能

LDO

输出的数量

1

输出电压

1.5 V

输出类型

固定式

极性

Positive

内存大小

256Kbit

输出电流

0.4 A

访问时间

85 ns

内存格式

EEPROM

内存接口

Parallel

写入周期时间 - 字符、页面

10ms

线路调节

0.2 %/V

负载调节

40 mV

组织的记忆

32K x 8