R1LV0414DSB-7LI#B0详情
Renesas R1LV0414DSB-7LI#B0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
底架
表面贴装
安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
供应商器件包装
44-TSOP II
Number of Words
256000
RoHS
Compliant
Memory Types
RAM, SRAM
Package
Tray
Base Product Number
R1LV0414D
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
Obsolete
操作温度
-40°C ~ 85°C (TA)
系列
-
最高工作温度
85 °C
最小工作温度
-40 °C
技术
SRAM
电压 - 供电
2.7V ~ 3.6V
工作电源电压
3 V
界面
Parallel
最大电源电压
3.6 V
最小电源电压
2.7 V
内存大小
4Mbit
端口的数量
1
电源电流
20 mA
访问时间
70 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
70ns
地址总线宽度
18 b
密度
4 Mb
同步/异步
Asynchronous
字长
16 b
组织的记忆
256K x 16
辐射硬化
无
无铅
无铅
R1LV0414DSB-7LI#B0拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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