R1RW0416DGE-2LR#B1详情
Renesas R1RW0416DGE-2LR#B1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)
引脚数
44
供应商器件包装
44-SOJ
Supplier Package
SOJ
Timing Type
Asynchronous
Number of I/O Lines
16 Bit
Package
Tray
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
18
Manufacturer
Renesas Electronics
Brand
Renesas Electronics
RoHS
Details
操作温度
0 to 70 °C
系列
-
包装
Tray
子类别
Memory & Data Storage
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
内存大小
4Mbit
访问时间
12
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
产品类别
SRAM
记忆密度
4
产品类别
SRAM
组织的记忆
256K x 16
宽度
10.16 mm
高度
3.55 mm
长度
28.47 mm
R1RW0416DGE-2LR#B1拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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