R1RW0416DGE-2LR#B1
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Renesas R1RW0416DGE-2LR#B1

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型号

R1RW0416DGE-2LR#B1

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-R1RW0416DGE-2LR#B1

商品类别

存储器

封装

44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SRAM Chip Async Single 3.3V 4Mbit 256K X 16 12ns 44-Pin SOJ Tube

起订量

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R1RW0416DGE-2LR#B1
R1RW0416DGE-2LR#B1 Renesas SRAM Chip Async Single 3.3V 4Mbit 256K X 16 12ns 44-Pin SOJ Tube

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R1RW0416DGE-2LR#B1详情

Renesas R1RW0416DGE-2LR#B1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    44-BSOJ (0.400, 10.16mm Width)

  • 引脚数

    44

  • 供应商器件包装

    44-SOJ

  • Supplier Package

    SOJ

  • Timing Type

    Asynchronous

  • Number of I/O Lines

    16 Bit

  • Package

    Tray

  • 厂商

    Renesas Electronics America Inc

  • Product Status

    活跃

  • Memory Types

    Volatile

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    18

  • Manufacturer

    Renesas Electronics

  • Brand

    Renesas Electronics

  • RoHS

    Details

  • 操作温度

    0 to 70 °C

  • 系列

    -

  • 包装

    Tray

  • 子类别

    Memory & Data Storage

  • 技术

    SRAM - Asynchronous

  • 电压 - 供电

    3V ~ 3.6V

  • 内存大小

    4Mbit

  • 访问时间

    12

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • 写入周期时间 - 字符、页面

    12ns

  • 产品类别

    SRAM

  • 记忆密度

    4

  • 产品类别

    SRAM

  • 组织的记忆

    256K x 16

  • 宽度

    10.16 mm

  • 高度

    3.55 mm

  • 长度

    28.47 mm

0个相似型号

R1RW0416DGE-2LR#B1拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
RMLV0816BGSA-4S2#AA0

Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-5SI#B0
R1LP0408DSP-5SI#B0

Renesas Electronics America

71V416S12PHGI
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Renesas Electronics America Inc.

R1LP0408DSP-5SI#S0
R1LP0408DSP-5SI#S0

Renesas Electronics America

71V256SA15PZGI8
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Renesas Electronics America Inc.

IDT71V256SA15PZ
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Renesas Electronics America Inc.

R1LV0108ESN-5SI#B0
R1LV0108ESN-5SI#B0

Renesas Electronics America

71V416S15PHGI8
71V416S15PHGI8

Renesas Electronics America Inc.

RMLV0408EGSB-4S2#AA1
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R1LV0408DSB-5SI#B0
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