Renesas R1RW0416DSB-0PI#D1

安装类型

表面贴装

包装/外壳

44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)

供应商器件包装

44-TSOP II

Supplier Package

TSOP-II

Data Rate Architecture

SDR

Typical Operating Supply Voltage

3.3 V

Minimum Operating Supply Voltage

3 V

Timing Type

Asynchronous

Number of Words

256 Kb

Number of I/O Lines

16 Bit

Maximum Operating Supply Voltage

3.6 V

Mounting

表面贴装

Package

Tray

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

Moisture Sensitive

有

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

135

Manufacturer

Renesas Electronics

Brand

Renesas Electronics

RoHS

Details

Usage Level

Industrial grade

操作温度

-40 to 85 °C

系列

-

包装

Tray

子类别

Memory & Data Storage

技术

SRAM - Asynchronous

电压 - 供电

3V ~ 3.6V

引脚数量

44

内存大小

4Mbit

端口的数量

1

访问时间

10 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

256K x 16

写入周期时间 - 字符、页面

10ns

地址总线宽度

18 Bit

产品类别

SRAM

密度

4 Mbit

筛选水平

Industrial

产品类别

SRAM

组织的记忆

256K x 16

宽度

10.16 mm

高度

1.2 mm

长度

18.41 mm