R1RW0416DSB-2SR#D1详情
Renesas R1RW0416DSB-2SR#D1重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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安装类型
表面贴装
包装/外壳
44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件包装
44-TSOP II
Package
Tray
厂商
Renesas Electronics America Inc
Product Status
活跃
Memory Types
Volatile
Moisture Sensitive
有
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
135
Manufacturer
Renesas Electronics
Brand
Renesas Electronics
RoHS
Details
Maximum Operating Temperature
+ 70 C
Supply Voltage-Max
3.6 V
Minimum Operating Temperature
0 C
Supply Voltage-Min
3 V
Mounting Styles
SMD/SMT
Interface Type
Parallel
操作温度
0°C ~ 70°C (TA)
系列
-
包装
Tray
子类别
Memory & Data Storage
技术
SRAM - Asynchronous
电压 - 供电
3V ~ 3.6V
内存大小
4Mbit
电源电流-最大值
130 mA
访问时间
12 ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
组织结构
256 k x 16
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
产品类别
SRAM
记忆密度
4
产品类别
SRAM
组织的记忆
256K x 16
宽度
10.16 mm
高度
1.2 mm
长度
18.41 mm
R1RW0416DSB-2SR#D1拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
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