RJH1DF7RDPQ-80#T2
RJH1DF7RDPQ-80#T2

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2

  • 收藏
  • 对比

型号

RJH1DF7RDPQ-80#T2

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-RJH1DF7RDPQ-80#T2

商品类别

晶体管 - IGBT - 单个

封装

TO-247-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR

起订量

1最小包装量--

添加到询价列表
RJH1DF7RDPQ-80#T2
RJH1DF7RDPQ-80#T2 Renesas RJH1DF7 - INSULATED GATE BIPOLAR

请发送询价,我们将立即回复。

库存:

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

RJH1DF7RDPQ-80#T2详情

Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    通孔

  • 包装/外壳

    TO-247-3

  • 供应商器件包装

    TO-247

  • Current-Collector (Ic) (Max)

    60 A

  • Test Conditions

    600V, 35A, 5Ohm, 15V

  • 包装

    Bulk

  • 操作温度

    150°C (TJ)

  • 零件状态

    Obsolete

  • 输入类型

    Standard

  • 功率 - 最大

    250 W

  • 电压 - 集射极击穿(最大值)

    1350 V

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值)

    2.55V @ 15V, 35A

  • Td(开/关)@25°C

    58ns/144ns

0个相似型号

技术文档: Renesas RJH1DF7RDPQ-80#T2.

RJH1DF7RDPQ-80#T2拓展信息

RJP6065DPM-00#T1
RJP6065DPM-00#T1

Renesas Electronics America Inc

RJP63F3DPP-Z0#T2
RJP63F3DPP-Z0#T2

Renesas Electronics America Inc

RJH30E2DPP-Z0#T2
RJH30E2DPP-Z0#T2

Renesas Electronics America Inc

RJH60F4DPQ-A0#T0
RJH60F4DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

RJH60F5DPQ-A0#T0
RJH60F5DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

RJH60F4DPK-00#T0
RJH60F4DPK-00#T0

Renesas Electronics America

RJP4006AGE-00#P5
RJP4006AGE-00#P5

Renesas Electronics America Inc

RJP3034DPP-90#T2F
RJP3034DPP-90#T2F

Renesas Electronics America Inc

RJH60F0DPQ-A0#T0
RJH60F0DPQ-A0#T0

Renesas Electronics America

RJP4009ANS-WS#Q6
RJP4009ANS-WS#Q6

Renesas Electronics America Inc

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z