Renesas UPC8026G-S08-R

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Package Description

SMALL OUTLINE, R-PDSO-G8

Package Style

小概要

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Manufacturer Part Number

UPC8026G-S08-R

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Unisonic Technologies Co Ltd

Number of Elements

1

Part Life Cycle Code

活跃

Ihs Manufacturer

UNISONIC TECHNOLOGIES CO LTD

Risk Rank

5.61

Drain Current-Max (ID)

13 A

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

JESD-30代码

R-PDSO-G8

配置

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

极性/通道类型

N-CHANNEL

最大漏极电流 (Abs) (ID)

13 A

漏极-源极导通最大电阻

0.01 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

52 A

DS 击穿电压-最小值

30 V

雪崩能量等级（Eas）

44 mJ

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

最大耗散功率(Abs)

1.9 W

反馈上限-最大值 (Crss)

370 pF

达到SVHC

compliant