UPD4382322GF-A75B详情
Renesas UPD4382322GF-A75B重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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生命周期状态
Production (Last Updated: 3 weeks ago)
触点镀层
Gold, Tin
表面安装
YES
房屋材料
Polymer
终端数量
100
PCB安装方向
直角
底板材料
Nickel
Manufacturer Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 3 weeks ago)
Tail Length
1.2 mm
RoHS
Non-Compliant
Shrouded
Unshrouded
Circuit Applications
Signal
Package Style
FLATPACK
Number of Words Code
256000
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Equivalence Code
QFP100,.63X.87
Access Time-Max
4 ns
Operating Temperature-Max
70 °C
Rohs Code
无
Manufacturer Part Number
UPD4382322GF-A75B
Clock Frequency-Max (fCLK)
133 MHz
Number of Words
262144 words
Package Code
QFP
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.92
JESD-609代码
e0
终端
Press-Fit
连接器类型
Receptacle
定位的数量
72
端子表面处理
Tin/Lead (Sn/Pb)
最高工作温度
185 °C
最小工作温度
-67 °C
行数
12
子类别
SRAMs
螺距
1.905 mm
技术
CMOS
端子位置
QUAD
方向
直角
终端形式
鸥翼
端子间距
0.635 mm
额定电流
750 mA
JESD-30代码
R-PQFP-G100
资历状况
不合格
接头数量
72
房屋颜色
Black
工作电源电压
30 V
电源
2.5/3.3,3.3 V
触点样式
Press-Fit
温度等级
COMMERCIAL
行间距
1.35 mm
最大额定电流
750 mA
阻抗
100 Ω
操作模式
SYNCHRONOUS
电源电流-最大值
0.4 mA
可密封
无
触点额定电流
750 mA
数据率
25 Gbps
组织结构
256KX32
输出特性
3-STATE
内存宽度
32
信号位置数
48
待机电流-最大值
0.01 A
记忆密度
8388608 bit
孔直径
381 µm
列数
6
并行/串行
PARALLEL
I/O类型
COMMON
内存IC类型
标准SRAM
配套对准
With
待机电压-最小值
3.14 V
可堆叠
无
先下手为强/后下手为强
无
差分信号
有
配对数量
24
每列差分对
4
地面位置数量
24
宽度
28.2 mm
高度
17.3 mm
长度
18.9992 mm
电镀厚度
1.52 µm
PCB厚度
3 mm
达到SVHC
unknown
可燃性等级
UL94 V-0
UPD4382322GF-A75B拓展信息








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