Renesas UPD44325362BF5-E40-FQ1-A

工厂交货时间

1 Week

安装类型

表面贴装

包装/外壳

165-FBGA

表面安装

YES

引脚数

165

供应商器件包装

165-FBGA (15x17)

终端数量

165

Mounting

表面贴装

Maximum Operating Supply Voltage

1.9 V

Number of I/O Lines

36 Bit

Number of Words

1 MWords

Timing Type

Synchronous

Minimum Operating Supply Voltage

1.7 V

Typical Operating Supply Voltage

1.8000 V

Data Rate Architecture

QDR

Supplier Package

BGA

Maximum Clock Rate

250 MHz

Package

Tray

Base Product Number

UPD44325362

厂商

Renesas Electronics America Inc

Product Status

Obsolete

Memory Types

Volatile

Package Description

LBGA, BGA165,11X15,40

Package Style

GRID ARRAY, LOW PROFILE

Number of Words Code

1000000

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Equivalence Code

BGA165,11X15,40

Access Time-Max

0.45 ns

Operating Temperature-Max

70 °C

Rohs Code

有

Manufacturer Part Number

UPD44325362BF5-E40-FQ1-A

Clock Frequency-Max (fCLK)

250 MHz

Supply Voltage-Nom (Vsup)

1.8 V

Package Code

LBGA

Package Shape

RECTANGULAR

Manufacturer

Renesas Electronics Corporation

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Risk Rank

5.73

Part Package Code

BGA

操作温度

0 to 70 °C

系列

-

ECCN 代码

3A991

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

SRAMs

技术

SRAM - Synchronous, QDR II

电压 - 供电

1.7V ~ 1.9V

端子位置

BOTTOM

终端形式

BALL

功能数量

1

端子间距

1 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-PBGA-B165

资历状况

不合格

电源

1.5/1.8,1.8 V

温度等级

COMMERCIAL

内存大小

36Mbit

端口的数量

2

操作模式

SYNCHRONOUS

时钟频率

250 MHz

电源电流-最大值

0.69 mA

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

1MX36

输出特性

3-STATE

座位高度-最大

1.46 mm

内存宽度

36

写入周期时间 - 字符、页面

4ns

地址总线宽度

19 Bit

密度

36 Mbit

待机电流-最大值

0.33 A

记忆密度

37748736 bit

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

SEPARATE

内存IC类型

QDR SRAM

待机电压-最小值

1.7 V

电压 - 供电 （最大值）

1.9 V

电压 - 供电 （最小值）

1.7 V

组织的记忆

1M x 36

宽度

15 mm

长度

17 mm