UPD78F0138M6GC(A1)-8BS
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Renesas UPD78F0138M6GC(A1)-8BS

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型号

UPD78F0138M6GC(A1)-8BS

品牌

Renesas

utmel 编号

2038-UPD78F0138M6GC(A1)-8BS

商品类别

无类别的

封装

DP

交货地

大陆

交期(工作日)

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ROHS

ECAD

简介

Compact, Low-power 8-bit Microcontrollers for General Purpose Applications (Non Promotion)

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UPD78F0138M6GC(A1)-8BS
UPD78F0138M6GC(A1)-8BS Renesas Compact, Low-power 8-bit Microcontrollers for General Purpose Applications (Non Promotion)

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UPD78F0138M6GC(A1)-8BS详情

Renesas UPD78F0138M6GC(A1)-8BS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 包装/外壳

    DP

  • Vds - Drain-Source Breakdown Voltage

    40 V

  • Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage

    1 V to 7 V

  • Pd - Power Dissipation

    35 W

  • Transistor Polarity

    N-Channel

  • Maximum Operating Temperature

    + 150 C

  • Vgs - Gate-Source Voltage

    20 V

  • Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

    25

  • Mounting Styles

    SMD/SMT

  • Manufacturer

    TT Electronics

  • Brand

    Semelab / TT Electronics

  • Id - Continuous Drain Current

    6 A

  • 类型

    射频功率MOSFET

  • 子类别

    MOSFETs

  • 技术

    Si

  • 工作频率

    1 GHz

  • 配置

    Single

  • 输出功率

    7.5 W

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 晶体管类型

    DMOS FET

  • 增益

    10 dB

  • 产品类别

    射频MOSFET晶体管

  • 宽度

    6.35 mm

  • 高度

    5.08 mm

  • 长度

    18.92 mm

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UPD78F0138M6GC(A1)-8BS拓展信息

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公司资质

ISO13485
AS
SMTA
DUNS