UPD78F0138M6GC(A1)-8BS详情
Renesas UPD78F0138M6GC(A1)-8BS重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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包装/外壳
DP
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage
40 V
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage
1 V to 7 V
Pd - Power Dissipation
35 W
Transistor Polarity
N-Channel
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
Vgs - Gate-Source Voltage
20 V
Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity
25
Mounting Styles
SMD/SMT
Manufacturer
TT Electronics
Brand
Semelab / TT Electronics
Id - Continuous Drain Current
6 A
类型
射频功率MOSFET
子类别
MOSFETs
技术
Si
工作频率
1 GHz
配置
Single
输出功率
7.5 W
产品类别
射频MOSFET晶体管
晶体管类型
DMOS FET
增益
10 dB
产品类别
射频MOSFET晶体管
宽度
6.35 mm
高度
5.08 mm
长度
18.92 mm
UPD78F0138M6GC(A1)-8BS拓展信息








哦! 它是空的。