2SK1070PIDTL-E
2SK1070PIDTL-E

注:图像仅供参考,请参阅产品规格

技术文档 技术文档

PDF列表 PDF文档列表
免费送样

Renesas Electronics America 2SK1070PIDTL-E

  • 收藏
  • 对比

型号

2SK1070PIDTL-E

utmel 编号

2038-2SK1070PIDTL-E

商品类别

晶体管 - JFET

封装

TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET

起订量

--最小包装量--

添加到询价列表
2SK1070PIDTL-E
2SK1070PIDTL-E Renesas Electronics America SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET

请发送询价,我们将立即回复。

库存:6461

请发送询价,我们将立即回复。

*
验证码
在线咨询

2SK1070PIDTL-E详情

Renesas Electronics America 2SK1070PIDTL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

  • 表面安装

    YES

  • 晶体管元件材料

    SILICON

  • Number of Elements

    1

  • 操作温度

    150°C

  • 包装

    Tape & Reel (TR)

  • 无铅代码

    yes

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    1 (Unlimited)

  • 终止次数

    3

  • ECCN 代码

    EAR99

  • 端子位置

    DUAL

  • 终端形式

    鸥翼

  • 峰值回流焊温度(摄氏度)

    260

  • 时间@峰值回流温度-最大值(s)

    未说明

  • 引脚数量

    3

  • JESD-30代码

    R-PDSO-G3

  • 资历状况

    不合格

  • 配置

    SINGLE

  • 操作模式

    DEPLETION MODE

  • 功率 - 最大

    150mW

  • 场效应管类型

    N-Channel

  • 晶体管应用

    AMPLIFIER

  • 输入电容(Ciss)(Max)@Vds

    9pF @ 5V

  • 场效应管技术

    JUNCTION

  • 最大耗散功率(Abs)

    0.15W

  • 漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)

    12mA @ 5V

  • 不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)

    0V @ 10μA

  • 电压 - 击穿 (V(BR)GSS)

    22V

  • 最大漏极电流(Id)

    50mA

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

0个相似型号

技术文档: Renesas Electronics America 2SK1070PIDTL-E.

查看更多

2SK1070PIDTL-E拓展信息

2SK1070PIETR-E
2SK1070PIETR-E

Renesas Electronics America

2SK1070PIETL-E
2SK1070PIETL-E

Renesas Electronics America

索引: # 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 A B C D E F G H I J K L M N O P Q R S T U V W X Y Z