Renesas Electronics America 2SK1070PIDTL-E
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2SK1070PIDTL-E
2038-2SK1070PIDTL-E
晶体管 - JFET
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
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SILICON N-CHANNEL JUNCTION FET
--最小包装量--
2SK1070PIDTL-E详情
Renesas Electronics America 2SK1070PIDTL-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
表面安装
YES
晶体管元件材料
SILICON
Number of Elements
1
操作温度
150°C
包装
Tape & Reel (TR)
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
3
ECCN 代码
EAR99
端子位置
DUAL
终端形式
鸥翼
峰值回流焊温度(摄氏度)
260
时间@峰值回流温度-最大值(s)
未说明
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PDSO-G3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
操作模式
DEPLETION MODE
功率 - 最大
150mW
场效应管类型
N-Channel
晶体管应用
AMPLIFIER
输入电容(Ciss)(Max)@Vds
9pF @ 5V
场效应管技术
JUNCTION
最大耗散功率(Abs)
0.15W
漏极电流(Idss) @ Vds (Vgs=0)
12mA @ 5V
不同 Id 时电压 - 截止 (VGS off)
0V @ 10μA
电压 - 击穿 (V(BR)GSS)
22V
最大漏极电流(Id)
50mA
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
2SK1070PIDTL-E拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







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