Renesas Electronics America BUZ76
- 收藏
- 对比
BUZ76
2038-BUZ76
集成电路(IC)
--
大陆
立即发货

Power Transistor N Channel Enhancement 400V 3A 3-Pin TO-220AB Through Hole
1最小包装量--
BUZ76详情
Renesas Electronics America BUZ76重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
BUZ76
Rohs Code
无
Part Life Cycle Code
活跃
Ihs Manufacturer
ROCHESTER ELECTRONICS LLC
Risk Rank
5.09
Drain Current-Max (ID)
3 A
Moisture Sensitivity Levels
未说明
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
FLANGE MOUNT
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
JESD-609代码
e0
无铅代码
无
端子表面处理
锡铅
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
COMMERCIAL
配置
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
操作模式
增强型MOSFET
箱体转运
DRAIN
晶体管应用
SWITCHING
极性/通道类型
N-CHANNEL
JEDEC-95代码
TO-220AB
漏极-源极导通最大电阻
1.8 Ω
脉冲漏极电流-最大值(IDM)
12 A
DS 击穿电压-最小值
400 V
场效应管技术
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
BUZ76拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America







哦! 它是空的。