Renesas Electronics America HAT1110R

表面安装

YES

终端数量

8

晶体管元件材料

SILICON

Drain Current-Max (ID)

1 A

Number of Elements

2

Package Body Material

PLASTIC/EPOXY

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

小概要

Risk Rank

5.76

Package Description

FP-8DA, SOP-8

Part Package Code

SOT

Ihs Manufacturer

RENESAS ELECTRONICS CORP

Part Life Cycle Code

Transferred

Manufacturer Part Number

HAT1110R

ECCN 代码

EAR99

端子位置

DUAL

终端形式

鸥翼

Reach合规守则

compliant

引脚数量

8

JESD-30代码

R-PDSO-G8

资历状况

不合格

配置

SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE

操作模式

增强型MOSFET

晶体管应用

SWITCHING

极性/通道类型

P-CHANNEL

漏极-源极导通最大电阻

1.38 Ω

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

6 A

DS 击穿电压-最小值

80 V

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR