Renesas Electronics America HAT2038R-EL-E

工厂交货时间

16 Weeks

底架

表面贴装

安装类型

表面贴装

包装/外壳

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

引脚数

8

晶体管元件材料

SILICON

Number of Elements

2

Turn Off Delay Time

110 ns

操作温度

150°C TJ

包装

Tape & Reel (TR)

已出版

2005

无铅代码

yes

零件状态

活跃

湿度敏感性等级(MSL)

1 (Unlimited)

终止次数

8

ECCN 代码

EAR99

电压 - 额定直流

60V

最大功率耗散

2W

终端形式

鸥翼

峰值回流焊温度（摄氏度）

260

额定电流

5A

时间@峰值回流温度-最大值(s)

20

引脚数量

8

操作模式

增强型MOSFET

功率耗散

3W

接通延迟时间

11 ns

场效应管类型

2 N-Channel (Dual)

晶体管应用

SWITCHING

Rds On(Max)@Id,Vgs

58m Ω @ 3A, 10V

不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）

2.2V @ 1mA

输入电容(Ciss)(Max)@Vds

520pF @ 10V

上升时间

40ns

下降时间（典型值）

80 ns

连续放电电流(ID)

5A

栅极至源极电压(Vgs)

20V

最大漏极电流 (Abs) (ID)

5A

脉冲漏极电流-最大值(IDM)

40A

场效应管技术

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

场效应管特性

逻辑电平门

辐射硬化

无

RoHS状态

ROHS3 Compliant

无铅

无铅