Renesas Electronics America HCTS30DMSR

表面安装

NO

终端数量

14

Manufacturer Part Number

HCTS30DMSR

Rohs Code

无

Part Life Cycle Code

Transferred

Ihs Manufacturer

HARRIS SEMICONDUCTOR

Package Description

DIP, DIP14,.3

Risk Rank

5.74

Load Capacitance (CL)

50 pF

Operating Temperature-Max

125 °C

Operating Temperature-Min

-55 °C

Package Body Material

CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED

Package Code

DIP

Package Equivalence Code

DIP14,.3

Package Shape

RECTANGULAR

Package Style

IN-LINE

Prop.

22 ns

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Usage Level

Military grade

JESD-609代码

e0

端子表面处理

Tin/Lead (Sn/Pb)

附加功能

RADIATION HARD CMOS/SILICON ON SAPPHIRE (SOS) TECHONOLOGY

HTS代码

8542.39.00.01

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-CDIP-T14

资历状况

不合格

电源电压-最大值(Vsup)

5.5 V

电源

5 V

温度等级

MILITARY

电源电压-最小值(Vsup)

4.5 V

家人

HCT

输入数量

8

逻辑IC类型

NAND GATE

最大 I(ol)

0.004 A

筛选水平

38535V;38534K;883S

传播延迟(tpd)

23 ns

施密特触发器

NO

总剂量

200k Rad(Si) V