Renesas Electronics America NE3513M04-T2-A
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NE3513M04-T2-A
2038-NE3513M04-T2-A
集成电路(IC)
--
大陆
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FET RF 4V 12GHZ M04 4SMD
1最小包装量--
NE3513M04-T2-A详情
Renesas Electronics America NE3513M04-T2-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
砷化镓
Manufacturer Part Number
NE3513M04-T2-A
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
RENESAS ELECTRONICS CORP
Risk Rank
5.83
Drain Current-Max (ID)
0.015 A
Number of Elements
1
Operating Temperature-Max
125 °C
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
无铅代码
有
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
Reach合规守则
compliant
JESD-30代码
R-PDSO-F4
Brand Name
Renesas
配置
SINGLE
操作模式
增强型MOSFET
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
N-CHANNEL
最大漏极电流 (Abs) (ID)
0.06 A
DS 击穿电压-最小值
4 V
场效应管技术
HETERO-JUNCTION
最高频段
Ku波段
环境耗散-最大值
0.125 W
功率增益-最小值(Gp)
11.5 dB
NE3513M04-T2-A拓展信息
Renesas Electronics America
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