Renesas Electronics America NE664M04-T2-A
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NE664M04-T2-A
2038-NE664M04-T2-A
晶体管 - FET,MOSFET - 射频
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RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
1最小包装量--
NE664M04-T2-A详情
Renesas Electronics America NE664M04-T2-A重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
表面安装
YES
终端数量
4
晶体管元件材料
SILICON
Manufacturer Part Number
NE664M04-T2-A
Rohs Code
有
Part Life Cycle Code
Obsolete
Ihs Manufacturer
NEC ELECTRONICS CORP
Package Description
SMALL OUTLINE, R-PDSO-F4
Risk Rank
5.77
Number of Elements
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Package Shape
RECTANGULAR
Package Style
小概要
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Transition Frequency-Nom (fT)
20000 MHz
JESD-609代码
e6
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铋
端子位置
DUAL
终端形式
FLAT
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
compliant
引脚数量
4
JESD-30代码
R-PDSO-F4
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
集电极电流-最大值(IC)
0.5 A
集电极-发射器电压-最大值
5 V
最高频段
S带
集电极-基极电容-最大值
1.5 pF
NE664M04-T2-A拓展信息
Renesas Electronics America Inc
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