Renesas Electronics America R1LV0108ESF-5SI#S0
- 收藏
- 对比
R1LV0108ESF-5SI#S0
2038-R1LV0108ESF-5SI#S0
存储器
32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
大陆
立即发货

IC SRAM 1M PARALLEL 32TSOP
1最小包装量--
R1LV0108ESF-5SI#S0详情
Renesas Electronics America R1LV0108ESF-5SI#S0重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
32-TFSOP (0.724, 18.40mm Width)
表面安装
YES
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tape & Reel (TR)
已出版
2011
无铅代码
yes
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
1 (Unlimited)
终止次数
32
ECCN 代码
EAR99
电压 - 供电
2.7V~3.6V
端子位置
DUAL
功能数量
1
电源电压
3V
端子间距
0.5mm
频率
1MHz
基本部件号
R1LV0108E
引脚数量
32
JESD-30代码
R-PDSO-G32
工作电源电压
3V
电源电压-最大值(Vsup)
3.6V
电源电压-最小值(Vsup)
2.7V
内存大小
1Mb 128K x 8
端口的数量
1
电源电流-最大值
0.025mA
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
输出特性
3-STATE
内存宽度
8
写入周期时间 - 字符、页面
55ns
地址总线宽度
17b
密度
1 Mb
待机电流-最大值
0.000002A
访问时间(最大)
55 ns
I/O类型
COMMON
待机电压-最小值
2V
辐射硬化
无
RoHS状态
ROHS3 Compliant
无铅
无铅
R1LV0108ESF-5SI#S0拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America








哦! 它是空的。