Renesas Electronics America Inc 2SD1137-E
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2SD1137-E
2038-2SD1137-E
晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个
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POWER BIPOLAR TRANSISTOR NPN
1最小包装量--
2SD1137-E详情
Renesas Electronics America Inc 2SD1137-E重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
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工厂交货时间
1 Week
表面安装
NO
终端数量
3
晶体管元件材料
SILICON
厂商
Renesas Electronics America Inc
Package
Bulk
Product Status
活跃
Package Description
FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
Package Style
FLANGE MOUNT
Moisture Sensitivity Levels
1
Package Body Material
PLASTIC/EPOXY
Reflow Temperature-Max (s)
未说明
Rohs Code
有
Manufacturer Part Number
2SD1137-E
Package Shape
RECTANGULAR
Manufacturer
Renesas Electronics Corporation
Number of Elements
1
Part Life Cycle Code
终身购买
Ihs Manufacturer
RENESAS TECHNOLOGY CORP
Risk Rank
5.33
Part Package Code
TO-220AB
系列
*
JESD-609代码
e2
无铅代码
有
ECCN 代码
EAR99
端子表面处理
锡铜
HTS代码
8541.29.00.95
端子位置
SINGLE
终端形式
THROUGH-HOLE
峰值回流焊温度(摄氏度)
未说明
Reach合规守则
unknown
引脚数量
3
JESD-30代码
R-PSFM-T3
资历状况
不合格
配置
SINGLE
箱体转运
COLLECTOR
晶体管应用
AMPLIFIER
极性/通道类型
NPN
JEDEC-95代码
TO-220AB
集电极电流-最大值(IC)
4 A
最小直流增益(hFE)
50
集电极-发射器电压-最大值
100 V
2SD1137-E拓展信息
Renesas Electronics America Inc
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Renesas







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