Renesas Electronics America Inc 5962-3829409MXA

安装类型

通孔

包装/外壳

28-CDIP (0.600", 15.24mm)

表面安装

NO

引脚数

28

供应商器件包装

28-CDIP

终端数量

28

Base Product Number

5962-3829409

Package

Tube

Product Status

活跃

Memory Types

Volatile

厂商

Renesas Electronics America Inc

Shipping Restrictions

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Maximum Operating Temperature

+ 125 C

Supply Voltage-Max

5.5 V

Minimum Operating Temperature

- 55 C

Factory Pack QuantityFactory Pack Quantity

13

Supply Voltage-Min

4.5 V

Mounting Styles

通孔

Interface Type

Parallel

Manufacturer

Renesas Electronics

Brand

Renesas Electronics

RoHS

N

Package Description

DIP, DIP28,.6

Package Style

IN-LINE

Number of Words Code

8000

Package Body Material

CERAMIC, GLASS-SEALED

Package Equivalence Code

DIP28,.6

Operating Temperature-Min

-55 °C

Access Time-Max

55 ns

Operating Temperature-Max

125 °C

Manufacturer Part Number

5962-3829409MXA

Number of Words

8192 words

Supply Voltage-Nom (Vsup)

5 V

Package Code

DIP

Package Shape

RECTANGULAR

Part Life Cycle Code

Obsolete

Ihs Manufacturer

E2V TECHNOLOGIES PLC

Risk Rank

5.24

Part Package Code

DIP

Usage Level

Military grade

操作温度

-55°C ~ 125°C (TA)

系列

-

包装

Tube

JESD-609代码

e0

ECCN 代码

3A001.A.2.C

类型

Asynchronous

端子表面处理

锡铅

HTS代码

8542.32.00.41

子类别

Memory & Data Storage

电压 - 供电

4.5V ~ 5.5V

端子位置

DUAL

终端形式

THROUGH-HOLE

功能数量

1

端子间距

2.54 mm

Reach合规守则

unknown

JESD-30代码

R-GDIP-T28

资历状况

不合格

电源

5 V

温度等级

MILITARY

内存大小

64Kbit

操作模式

ASYNCHRONOUS

电源电流-最大值

200 mA

访问时间

55 ns

内存格式

SRAM

内存接口

Parallel

组织结构

8 k x 8

输出特性

3-STATE

内存宽度

8

写入周期时间 - 字符、页面

55ns

产品类别

SRAM

待机电流-最大值

0.02 A

记忆密度

65536 bit

筛选水平

38535Q/M;38534H;883B

并行/串行

PARALLEL

I/O类型

COMMON

内存IC类型

标准SRAM

待机电压-最小值

4.5 V

电压 - 供电 （最大值）

5.5 V

电压 - 供电 （最小值）

4.5 V

产品类别

SRAM

组织的记忆

8K x 8

宽度

15.24 mm

高度

1.65 mm

长度

37.2 mm