70T3519S133DRI
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Renesas Electronics America Inc. 70T3519S133DRI

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型号

70T3519S133DRI

utmel 编号

2038-70T3519S133DRI

商品类别

存储器

封装

208-BFQFP

交货地

大陆

交期(工作日)

立即发货

ROHS

ECAD

简介

IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

起订量

1最小包装量--

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70T3519S133DRI
70T3519S133DRI Renesas Electronics America Inc. IC SRAM 9M PARALLEL 208PQFP

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70T3519S133DRI详情

Renesas Electronics America Inc. 70T3519S133DRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:

  • 参数名
    参数值
    全选
  • 参数名
    参数值
    全选
  • 安装类型

    表面贴装

  • 包装/外壳

    208-BFQFP

  • Memory Types

    Volatile

  • 操作温度

    -40°C~85°C TA

  • 包装

    Tray

  • 零件状态

    Obsolete

  • 湿度敏感性等级(MSL)

    3 (168 Hours)

  • 电压 - 供电

    2.4V~2.6V

  • 基本部件号

    IDT70T3519

  • 内存大小

    9Mb 256K x 36

  • 时钟频率

    133MHz

  • 访问时间

    4.2ns

  • 内存格式

    SRAM

  • 内存接口

    Parallel

  • RoHS状态

    Non-RoHS Compliant

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技术文档: Renesas Electronics America Inc. 70T3519S133DRI.

70T3519S133DRI拓展信息

RMLV0816BGSA-4S2#AA0
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Renesas Electronics America

R1LP0408DSP-5SI#B0
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Renesas Electronics America

71V416S12PHGI
71V416S12PHGI

Renesas Electronics America Inc.

R1LP0408DSP-5SI#S0
R1LP0408DSP-5SI#S0

Renesas Electronics America

71V256SA15PZGI8
71V256SA15PZGI8

Renesas Electronics America Inc.

IDT71V256SA15PZ
IDT71V256SA15PZ

Renesas Electronics America Inc.

R1LV0108ESN-5SI#B0
R1LV0108ESN-5SI#B0

Renesas Electronics America

71V416S15PHGI8
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RMLV0408EGSB-4S2#AA1
RMLV0408EGSB-4S2#AA1

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R1LV0408DSB-5SI#B0
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