Renesas Electronics America Inc. 70T651S12BFGI
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70T651S12BFGI
2038-70T651S12BFGI
存储器
208-LFBGA
大陆
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IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
--最小包装量--
70T651S12BFGI详情
Renesas Electronics America Inc. 70T651S12BFGI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
工厂交货时间
18 Weeks
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-LFBGA
Memory Types
Volatile
Usage Level
Industrial grade
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
活跃
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
2.4V~2.6V
基本部件号
IDT70T651
内存大小
9Mb 256K x 36
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
写入周期时间 - 字符、页面
12ns
RoHS状态
ROHS3 Compliant
70T651S12BFGI拓展信息
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America
Renesas Electronics America Inc.
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