Renesas Electronics America Inc. 70V3579S5DRI
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70V3579S5DRI
2038-70V3579S5DRI
存储器
208-BFQFP
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IC SRAM 1.125M PARALLEL 208PQFP
1最小包装量--
70V3579S5DRI详情
Renesas Electronics America Inc. 70V3579S5DRI重要参数规格及、参数值,及相似型号如下:
- 参数名参数值全选
- 参数名参数值全选
安装类型
表面贴装
包装/外壳
208-BFQFP
供应商器件包装
208-PQFP (28x28)
Memory Types
Volatile
操作温度
-40°C~85°C TA
包装
Tray
零件状态
Obsolete
湿度敏感性等级(MSL)
3 (168 Hours)
电压 - 供电
3.15V~3.45V
基本部件号
IDT70V3579
内存大小
1.125Mb 32K x 36
访问时间
5ns
内存格式
SRAM
内存接口
Parallel
RoHS状态
Non-RoHS Compliant
70V3579S5DRI拓展信息
Renesas Electronics America
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Renesas Electronics America Inc.
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